单片机与计算机之间的串口通信的问题。

肉丝 — Mon, 06 Nov 2006 13:41:00 GMT

计算机端的读取缓冲区设置多大为好？一个字节? 因为单片机端是按字节发送的。

电子元件-- 电容识别

肉丝 — Sat, 23 Sep 2006 03:45:00 GMT

电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。
其中：1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法
容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 uF/16V
容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示
字母表示法：1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF
数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。
如：102表示10×102PF=1000PF 224表示22×104PF=0.22 uF

元器件识别与检测

肉丝 — Mon, 18 Sep 2006 05:49:00 GMT

一、电位器读值
电位器的阻值可以零连续变到标称阻值，它有三个引出接头，两端接头的阻值就是标称阻值。中间接头可随轴转动，使其与两端头间的阻值改变。电位器的型号、标称阻值，功率等都印在电位器外壳上。
标称值读数，第一、第二位数值表示电阻的第一第二位，第三位表示倍乘数10n

204　　　　　　　　　20×104=200KΩ

105　　　　　　　　　10×105=1000KΩ

二、　　　　　　电解电容：

1．管脚识别：　长 +　　短 –

2．质量判别：

①电解电容两个管脚搭接，使电解电容短路放电；

②用万用表R×1K档红、黑表笔接电容正、负极；

③检查容量大小。接上万用表瞬间，电容充电表针向右摆动，表针幅度越来越大，电解电容容量越大；

④检查漏电程度。随着电容的放电，表针又向左摆回，最后停在某一位置。若表针停在∞处，说明电容漏电很小，测不出来。一般应大于几KΩ。漏电电阻极小，说明电容质量越好。

⑤电容已坏：在测试中，若表针始终停在∞位置，表明电容内部已开路断开。若在0处，表明电容被击穿，内部短路。

三、　　　　　　二极管：

1个PN结构成，单向导电性

①　　万用表选用R×1K档（R×1档电流太小，R×10K电压太高，易损坏二极管）

②　好坏判断：两表笔分别接于二极管两端，测得一阻值，再对调两笔，测得另一阻值。二极管正向电阻很小（大约几十欧-几百欧姆），反向电阻很大（几十KΩ-几百KΩ）若正、反向电阻值相差很大，说明管子单向导电性能好，若两次值均很小或很大，则管子质量有问题。（很小，击穿短路，很大，开路）。

③　正负极判断。阻值较小一次中黑表笔接的管脚是二极管正极，红表笔接的管脚是负极。

四、　　　　　　三极管：

(1).判断三极管基极

由于基极与发射极，基极与集电极之间分别是两个PN结，它们之间反向电阻都很大。正向电阻都很小，所以用万用表欧姆档（R×100或R×1K档）判别。

步骤：①b极判别：先将任一表笔接到某一个认定的管脚上，如果测量得的阻值若一大一小，则可知它不是基极。都很大（或很小），再对换表笔，重复上述测量时，阻值恰与上述相反，都很小（或很大）。则可断定所认定的管脚为基极。若不符合上述结果，应另换一个认定管脚重新测量。直至符合。

（2）PNP、NPN判别：

测量时注意极性（管脚和表笔），当黑表笔接在基极，红表笔接在其它两极时，测得的电阻值都较小，则可判定该三极管为NPN型，反之，当红表笔接在基极，黑表笔接到其它两极时，测得的电阻值较小由可判定该三极管的PNP型。

（3）判断集电极和发射极：

基本原理：把三极管接成基本单管放大电路，利用测量管子的电流放大系数β的大小来判断集电极和发射极。

（4）好坏：

如果三极管两个PN结正向电阻与反向电阻都很大（开路）或都很小（短路）则说明三极管已经损坏。

NPN型:

将黑表笔接于一个待测的管脚，红表笔接另一个管脚，基极悬空，然后将黑表笔所接管脚与基极用手捏住（注意不能使其相碰，这时在黑表笔与基极间串入人体电阻），表针会有一个偏转角（α1）。接着，更换黑红表笔，重复上述过程。记录偏转角β变化，对于偏转角大者，则其黑表笔所接管脚便为集电极，红表笔所接管脚为发射极。

PNP型：

与NPN型三极管判断c、e极原理一样，不同的是行后两次都用手捏住，经表笔与基极，观察表针偏转情况。指针偏转角的大小一次红表笔所接管脚为集电极，黑表笔所接管脚为发射极。

五、　　　　　　可控硅管脚、好坏、触发能力判别：

晶闸管有三个电极，即阳极、阴极和控制极。用万用表测量极间电阻的方法可以判断其好坏，触发能力及管脚。

(1)好坏判别：

①R×100档，测量晶闸管阳极与阴极间正反向电阻值，正常晶闸管正反向电阻值都应在几百千欧以上，若只有几欧或几十欧姆，则说明晶闸管已短路损坏。

② R×10档或R×1位置。控制极与阴极间的正向电阻应很小（几十欧姆），反向电阻应很大（几十至几百千欧），但有时由于控制极PN结特性并不太理想，反向不完全呈阻断状态，故有时测得的反向电阻不是太大（几KΩ或几十KΩ）这并不能说明控制极特性不好。测试时，如果控制极与阴极间的正反向电阻都很小（接近零）或极大，说明晶闸管已损坏。

(2)管脚判别：

对于晶闸管，只有控制极与阴极之间是一个PN结，具有正向导通，反向阻断特性。利用这个特性，将用万用表转换开关置于R×1K档，任意测量两个管脚的正反向电阻，当有两个管脚之间的电阻很小时，黑表笔所接管脚便为控制极，红表笔所接管脚为阴阳极，剩下的一个管脚便是阳极。

(3)触发能力：

①将万用表量程拨至R×1档，将黑表笔接阳极，红表笔接阴极，记下表针位置。

②然后用一导线或通过开关，将晶闸管阳极与控制极短路一下（这相当于给控制极加上控制电压）晶闸管导通，表针读数为几-几十欧。

③再把导线断开，若读数不变，说明晶闸管良好。本法仅适用于小容量晶闸管，对于中容量和大容量晶闸管可在万用表R×1档上，再串联一两节能1.5V电池测试。

六、　　　　　　单结晶体管管脚判别：

①发射极e：万用表置于R×1K档，任意测量两个管脚间的正反向电阻，其中必有两个电极间的正反向电阻是相等的（这两个管脚分别为第一基极b1和第二基极b2）。则剩余一个管脚为发射极e。（∵单结晶体管是在一块高电阻率的N型硅半导体基片上引出两个欧姆接触的电极作为两个基极b1和b2，b1和b2之间的电阻就是硅片本身的电阻，正反向电阻相同约为3-10KΩ）

②b1、b2极：测量发射极与某一基极间的正向电阻，阻值较大的为b1，阻值较小的为b2。

思考题：如何用万用表辨别单结晶体管和普通晶体三极管（NPN）？

单结晶体管不但外形与普通三极管相似，而且与NPN三极管测量时也有相似之处，单晶体管（双基二极管）的发射极e对两个基极b1b2均呈现PN结的正向特性。正小反大，与普通NPN型晶体管特性一样，利用单晶管的b1与b2之间没有PN结的特性，可以与普通NPN管相区别。b1与b2间正反向电阻都一样约为3-10KΩ，而NPN型晶体管的集电极与发射极之间是一个正向PN结和一个反向PN结串联，用万用表测量时正反向阻值都很大。

七、　　　　　　桥堆好坏与管脚判别：

好坏：利用桥堆相邻两个管脚步间都一个PN结（正向导通，反向阻断）如果有相邻两个管脚正反向电阻都无穷大（开路）或很小接近0（短路）情况，桥堆已经损坏。

管脚：万用表R×1K选定一管脚接到用万用表黑表笔上，红表笔则分别接到其余三个管脚。如果3个阻值都很小，则所选定管脚为桥堆输出负极端，若有大有小，则为桥堆输入电源端。

八、　　　　　　稳压二极管好坏及稳压值判断

①　　好坏，正负极：与普通二极管一样

②稳定值确定

庆祝一下下载线制作成功。

肉丝 — Wed, 19 Apr 2006 05:39:00 GMT

通过并口下载程序到AVR中，支持STK200/STK300。刚开始时把线焊上了，连接并口没有反映，我以为把并口烧了，重启又可以了。但是重新把线直接焊上还是没有，最后想起74LS244的电压才恍然大误，74LS244 MIN-4.5V,MAX-7V,而我的才2.86V左右。因为没有加稳压管的缘故，所以，估计244不能驱动。

提醒一下各位还是得先看看芯片资料再说。

在ARM中LCD屏的连接实现。

肉丝 — Sat, 01 Apr 2006 03:57:00 GMT

买了块字符型的YMLCD1602C（25块钱，20块钱就可以买到了）。

在ARM开发板中用SPI实现，可以用74HC595（带锁存）。在ATMEL8L中实现就不是这么会事了。走了弯路。。。。。。

网上找这种资料很少很少。等我今天回去买了芯片实现之后把详细的方法写出来。

单片机

单片机与计算机之间的串口通信的问题。

电子元件-- 电容识别

元器件识别与检测

庆祝一下下载线制作成功。

在ARM中LCD屏的连接实现。

收集:国外基本电路图网址